Os semicondutores de óxido metálico de banda larga são importantes para muitas aplicações tecnológicas, incluindo contato transparente para células solares, fotocatálise, eletrônicos transparentes, transições de potência. A dopagem eletrônica é um procedimento que aumenta, de forma controlada, a condutividade de um elemento semicondutor. “Em todas essas aplicações, o controle da condutividade elétrica representa grandes desafios, especialmente em relação ao doping de tipo p.”, informa o Dr. Fernando Pereira Sabino.

“Pathway to p-type doping of metal-oxide semiconductors” (“Caminho para o doping de tipo p de semicondutores de óxido de metal”, em tradução livre) é o tema do seminário que será proferido pelo Dr. Fernando Sabino, da Universidade de Delaware (EUA), no dia 15 de dezembro, às 10h no anfiteatro térreo do Instituto de Química de São Carlos.

A atividade é gratuita e aberta aos interessados, sendo coordenada pelo Prof. Dr. Juarez Lopes Ferreira da Silva responsável pelo Grupo de Teoria Quântica de Nanomateriais (QTNano) do IQSC e orientador do palestrante durante seu doutorado em Física realizado na USP.

Para saber mais sobre o seminário ou fazer sua inscrição, clique aqui.

Seminário
“Pathway to p-type doping of metal-oxide semiconductors”
Dr. Fernando Pereira Sabino (EUA)
15/12/2017, 10 horas, anfiteatro térreo do IQSC-USP
Av. Trabalhador São-carlense, 400
O seminário será proferido em inglês.
Inscrições: www.iqsc.usp.br/eventos
Contato: (16) 3373-8831 ou 3373-8272

Por Sandra Zambon (Comunicação IQSC)
Foto: República/Pixabay CC0